yy账号交易平台app:重磅！台积电严重调整退出！

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　　封闭坐落中国台湾新竹科学园区的6英寸Fab 2晶圆厂。此外，该公司估计将整合其三座8英寸晶圆厂——Fab 3、Fab 5和Fab 8，并将最多30%的职工重新部署至南部科学园区（STSP）和高雄的工厂，以补偿劳动力缺少、削减相关本钱并优化财物使用率。

　　半导体设备制作商表明，台积电已为其老厂拟定新的规划。6英寸工厂估计将被改形成CoPoS面板级封装工厂，而8英寸晶圆厂将转变到新方向：发动EUV掩膜维护膜的内部出产，以削减对ASML及其供应链的依靠。

　　该战略凸显了台积电致力于使用其研制和制作实力，在削减相关本钱的一起进步先进节点的EUV良率。这不只稳固了其领先于竞争对手的前沿位置，还可能在更广泛的EUV生态体系中发明对设备和资料的新需求。

　　台积电新竹科学园区的8英寸Fab 3晶圆厂将阅历最重要的革新，成为内部EUV维护膜研制的中心。

　　曩昔十年，台积电在先进工艺节点上投入创纪录资金，遥遥领先于竞争对手。但跟着摩尔定律触及物理极限，强行高投入的优势正在逐步衰退。

　　EUV光刻技能敞开新的工艺节点，但本钱昂扬：ASML EUV光刻机的价格约为1.5亿美元，而最新的ASML High NA（高数值孔径）EUV体系的价格超越3.5亿美元。跟着本钱不断攀升，台积电已削减High NA的订单，并正在探究其他办法来进步EUV良率并操控本钱。

　　维护膜技能已成为要害。通过多年的开展，台积电估计将在Fab 3晶圆厂投产，由此削减对ASML相关供货商的依靠，一起进步良率和本钱效益。

　　与深紫外（DUV）光刻技能不同，EUV需求选用新的掩模版和维护膜办法。维护膜可阻挠颗粒污染，但传统的有机维护膜缺少EUV所需的透明度和安稳才能。因而，大多数晶圆厂在运行时无需维护膜，要一向进行全方位查看。每个缺点都可能会导致贵重的掩模版修理或替换，然后减慢出产速度。

　　ASML和其他公司正在进行维护膜研制，但昂扬的技能壁垒阻止了其大规模使用。台积电以为维护膜关于7nm以下工艺至关重要，并已加快其内部研制进程。

　　分析师表明，台积电自有的维护膜将优化作业流程、进步良率、扩展产能并削减相关本钱，然后提高盈余才能并扩展领头羊。虽然维护膜专利问题仍未处理，但设备和资料供货商可能会获益于台积电转型带来的新基础设施需求。

　　跟着向2nm以下工艺出产跨进并扩展CoWoS封装技能，台积电自2025年头以来一向在精简旧晶圆厂。台积电已向国际先进（VIS）和恩智浦半导体在新加坡的合资企业VSMC出售价值7100万~7300万美元的设备，现在正准备进一步整合其坐落新竹的6英寸和8英寸晶圆厂。

　　据TechInsights称，瑞萨电子已与Polar半导体合作开发下一代d型GaN，而中国大陆企业正在加快GaN项目。包含德州仪器和英飞凌在内的全球IDM厂商也在扩展内部GaN产能。

　　消息人士称，台积电退出GaN范畴凸显了中国大陆竞争对手在第三代半导体商场剧烈的价格竞争。这家6英寸晶圆厂将转向先进封装，重点是CoPoS先进封装。